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半導体製造装置用材料：クリーンスター(CLEANSTAR®)シリーズ

特徴・ラインナップ・化学成分

JISのSUS316Lの化学成分範囲で高清浄度を有しています。
CLEANSTAR-A, CLEANSTAR-B, CLEANSTAR-C の3種類のラインアップで、製法・成分・コストに特徴を持たせています。
国際的な半導体製造装置に関するSEMI規格において規定されているSUS316L(SEMI F20)にも準拠しています。

	溶製法	主成分代表例(mass%)
	溶製法	C	Mn	S	Ni	Cr	Mo
JISG4303 SUS316L	-	≦ 0.030	≦ 2.00	≦ 0.030	12.00~ 15.00	16.00~ 18.00	2.00~ 3.00
SUS316L 一般品	EAF,AOD(大気溶解)	0.015	1.84	0.017	12.1	16.7	2.02
CLEANSTAR-A	VIM-VAR	0.006	極低	極低	14.7	16.7	2.23
CLEANSTAR-B	EAF,AOD-VAR	0.007	低減	極低	14.7	16.7	2.23
CLEANSTAR-C	EAF,AOD(大気溶解)	0.012	低減	低減	12.1	16.7	2.02

CLEANSTAR-Aは極低Sと特殊溶解による超清浄度化と、極低Mn化により溶接時に発生するMnヒュームを防止できます。
CLEANSTAR-Bは極低Sと特殊溶解による超清浄度化を図り、極低Mnの要求がない場合にコストメリットがあります。
CLEANSTAR-Cは大気溶解ですが、一般品より高清浄度化を図っています。

清浄度

注：数値は代表値であり、保証値ではありません

ASTM E45	A		B		C		D
ASTM E45	Thin	Heavy	Thin	Heavy	Thin	Heavy	Thin	Heavy
SUS316L 一般品	2.5	1.5	1.0	0	1.0	1.0	1.5	0.5
CLEANSTAR-A	0	0	0	0	0	0	0.5	0
CLEANSTAR-B	0	0	0.5	0	1.0	1.0	1.0	0
CLEANSTAR-C	0	0	0.5	0	1.0	1.0	1.5	0.5

耐食性

全面腐食(腐食減量比較)

注：数値は代表値であり、保証値ではありません

方法：浸漬試験
溶液：1% 塩酸水溶液
温度：室温 (25℃, 298K)
時間：6時間

孔食(腐食減量比較)

注：数値は代表値であり、保証値ではありません

方法：浸漬試験(JIS G0578) (ASTM G48-A)
溶液：6% 塩化鉄水溶液
温度：35℃ (308K)
時間：24時間

臨界孔食温度(CPT：Critical Pitting Temperature)

注：数値は代表値であり、保証値ではありません

表面品質(電解研磨、不働態被膜処理後)

注：数値は代表値であり、保証値ではありません

規格	工程	項目		SEMI F19		CLEANSTAR			SUS316L 一般材
規格	工程	項目		HP グレート	UHP グレート	A	B	C	SUS316L 一般材
SEMI F37	電解研磨後	表面粗さ	Ra Ave. (μm)	≦0.25	≦0.13	0.03	0.03	0.03	0.03
			Ra Max. (μm)	≦0.38	≦0.25	0.03	0.03	0.03	0.03
			Ry Max. (μm)	≦3.75	≦2.50	0.17	0.19	0.20	0.24
SEMI F60	不働態化処理後	表面組成	Cr/Fe	≧1.0	≧1.5	1.8	2.0	1.8	1.9
SEMI F60		表面組成	CrOx/FeOx	≧1.0	≧2.0	3.0	3.3	2.9	2.9
SEMI F73		表面欠陥数	平均欠陥数	≦30	≦10	1	1	7	11
SEMI F73		表面欠陥数	最大欠陥数	≦50	≦20	8	7	13	22